
7年上半年量产。美国亚利桑那第二座厂已完成建设,将于2027年下半年导入3纳米;日本第二座厂则规划于2028年量产3纳米。 三星电子计划2026年投入超110万亿韩元用于资本支出和研发,目标明确而激进,即AI芯片产能提升3倍,HBM产能提升5倍。其技术路线图清晰,正在韩国华城和平泽基地推进10纳米第五
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发布时间:01:37:23
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